Samsung готує масову лінію гібридного склеювання чипів D2W

Південнокорейський напівпровідниковий гігант Samsung Electronics готується до масштабної технологічної трансформації своїх фабів. За даними джерел у галузі, компанія планує придбати 50 одиниць обладнання для гібридного склеювання D2W (Die-to-Wafer) у провідного нідерландського виробника Besi. Обладнання призначене для оснащення нової масової виробничої лінії на стратегічному заводі P5 у Пхьонтеку.

Орієнтовна вартість одного бондера серії Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC становить 6 мільярдів вон (~$4,3 млн), що виводить сукупний бюджет потенційної угоди на рівень 300 мільярдів вон (~$215 млн). Наразі сторони узгоджують конструктивні кастомізації обладнання під власні специфікації Samsung.

Datacon 8800 CHAMEO ultra plus AC

Технологічні переваги та диверсифікація

Перехід на D2W-склеювання є критичним етапом еволюції передового пакування чипів:

  • ⚡ Фізичні переваги Hybrid Bonding: Традиційні мікровиступи (micro-bumps) замінюються прямим мідно-мідним з’єднанням (Copper-to-Copper). Це радикально скорочує вертикальну відстань між шарами чипів у вертикальних стеках, суттєво знижує затримки, зменшує тепловиділення та підвищує енергоефективність.

  • 🤖 Розрахунок під ШІ-прискорювачі майбутнього: Масове впровадження гібридного склеювання стане обов’язковим стандартом для стеків пам’яті HBM4 / HBM4E та надпотужних ШІ-процесорів (XPU) наступного покоління, включаючи перспективну архітектуру NVIDIA Feynman.

  • ⚖️ Диверсифікація постачальників (SEMES та Hanwha): Паралельно з переговорами із Besi, Samsung розглядає дешевші альтернативи (які коштують удвічі менше). Компанія вже завершила тестування обладнання власної дочірньої структури SEMES та проявляє високий інтерес до рішень Hanwha Semiconductor.

                    ┌──────────────────────────────┐
                    │  ЗАВОД SAMSUNG P5 (ПХЬОНТЕК) │
                    └──────────────┬───────────────┘
                                   │
         ┌─────────────────────────┼─────────────────────────┐
         ▼                         ▼                         ▼
┌──────────────────┐      ┌──────────────────┐      ┌──────────────────┐
│ 50 бондерів Besi │      │  Альтернативи    │      │  Мета: D2W & HBM4│
├──────────────────┤      ├──────────────────┤      ├──────────────────┤
│Datacon 8800 Ultra│      │SEMES (дочірня) & │      │Безвиступне пряме │
│300 млрд вон      │      │Hanwha Semicond.  │      │мідне з'єднання   │
└──────────────────┘      └──────────────────┘      └──────────────────┘

HiTech Expert Take

Наміри Samsung розгорнути масову лінію із 50 гібридних бондерів на заводі P5 є стратегічним ходом у боротьбі проти TSMC та SK Hynix за ринок пакування ШІ-чипів. Заміна класичних мікровиступів на пряме мідно-мідне гібридне з’єднання (Bump-less Hybrid Bonding) дасть змогу Samsung подолати теплові та щільнісні бар’єри при випуску 16- і 20-шарових стеків пам’яті HBM4. Залучення обладнання Besi у поєднанні з локальними аналогами від SEMES та Hanwha дозволить південнокорейському гіганту завчасно створити необхідну фабричну інфраструктуру для майбутніх замовлень з боку NVIDIA та інших розробників XPU-архітектур.

Залишити відповідь

Ваша e-mail адреса не оприлюднюватиметься. Обов’язкові поля позначені *